[发明专利]半导体器件的基片及其制造方法,及半导体器件、卡式组件、信息存储器件无效
申请号: | 97114904.6 | 申请日: | 1997-05-30 |
公开(公告)号: | CN1170960A | 公开(公告)日: | 1998-01-21 |
发明(设计)人: | 福田昌利 | 申请(专利权)人: | 东芝株式会社 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/538;H01L23/28;H01L23/043;G06K19/07 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 孙敬国 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在基片的半导体芯片安装面的配线和整个端子上镀软质金,在所设置的外部连接端子的背面的配线和整个端子上镀硬质金的情况下,贯通基片的通孔内的配线上产生未镀软质金也未镀硬质金的部分,由于电池作用和腐蚀作用,在该部分上会发生断线。为此,本发明在形成掩膜后进行电镀,以使镀软质金部分和镀质金部分的界限5,形成在半导体芯片安装面上的芯片连接端子2和通孔4之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 卡式 组件 信息 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.半导体器件的基片,包括:有第1主表面、第2主表面及为贯通第1、第2主表面而设置的通孔的基片;设置于所述基片的第1主表面上的外部连接端子;设置于所述基片的第2主表面上、通过所述通孔与所述外部连接端子电气连接的芯片连接端子;其特征在于:所述外部连接端子,所述通孔内部及所述芯片连接端子的第1区域镀硬质金;所述芯片连接端子的第2区域上镀软质金。
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