[发明专利]Bi层状结构强电介质薄膜的制造方法

摘要

以Bi的有机化合物和金属聚烷氧基化合物的混合物为原料，用CVD等分子沉积法或旋转涂布-烧结法在基板表面形成Bi层状结构的强电介质薄膜的方法。在收容槽1a和1b中分别封入Sr[Ta(OC2H5)6]2和Bi(OC(CH3)2C2H5)3。第1供给系统(1a，16a)保持在150℃，第2供给系统(1b、16b)保持在80℃，通过将载气N2流入第1和第2供给系统，将上述二原料的蒸汽导入成膜室5内。同时，向其导入氧气，在已加热的Si基片8上使上述二蒸汽热分解。

主权项

1、一种在基板材料上制造含Bi的层状结构强电介质薄膜的制造方法，所述方法包括下列步骤：混合含Bi的有机化合物和含至少两种不同种类金属原子的金属聚烷氧化物化合物；和采用包括沉积混合物到基板材料上的方法，在基板材料上形成含Bi的层状结构强电介质薄膜，其特征是，所形成的Bi层状结构强电介质薄膜是由下列通式1表示：式1(Bi2O2)2+((A1)m1(A2)m2...(An)mn(B1)s1(B2)s2...(Bt)stO3p+1)2-式中，A1、A2、...、An分别是从Ba、Bi、Sr、Pb、La、Ca中选择的至少一种，B1、B2、...、Bt分别是从Ti、Zr、Ta、Mo、W、Nb中选择的至少一种，p是1-5的整数，m1+m2+...+mn＝p-1，s1+s2+...+st＝p，并且m1、m2、...、mn和s1、s2、...、st均为非负实数，和金属聚烷氧化物化合物是由下列通式2表示：式2Ai(Bi((ORj1)(ORj2)...(ORj6)))(Bk((ORk1)(ORk2)...(ORk6)))式中，Ai是从Ba、Bi、Sr、Pb、La、Ca中选择的至少一种，Bi和Bk相同或不同，并且是从Ti、Zr、Ta、Mo、W、Nb中选择的至少一种，Rj1、Rj2、...、Rj6，Rk1、Rk2、...、Rk6分别是碳原子数为1-12的烷基。