[发明专利]半导体存储器

摘要

提供与存储单元阵列的构成无关的、能够缩短试验时间并能够在晶片状态下进行老化试验的半导体存储器。环形振荡器128根据来自外部的老化试验指定信号SBT而激活，基于其输出从内部行地址发生电路122输出的行地址信号在用运算电路124进行了加扰处理以后提供给行译码器102。另一方面，根据信号SBT的激活对从数据输出电路174输出的信号用数据加扰器176进行加扰处理，把校验结构的数据对应于存储单元阵列的物理地址提供给存储单元阵列。

主权项

1、一种半导体存储器，其特征在于备有：多个位线对；多个与所述位线对交叉的字线；包括对应于所述位线对与字线的交点以行列状配置、各自保存某一个二进制数据的多个存储单元的存储单元阵列；根据来自外部的指令把老化试验方式信号激活的工作方式设定装置；根据所老化试验方式信号的激活，依次地选择所述存储单元，循环地输出对应于所述依次选择的存储单元的物理地址的内部地址信号的内部地址发生装置；根据所述内部地址信号选择对应的存储单元并进行数据写入的存储单元选择装置；对根据所述多个位线对、多个字线和多个存储单元的配置，通过所述内部地址信号依次选择的存储单元，把内部写入数据输出到所述存储单元选择装置以便把所述二进制数据以校验结构状写入的内部数据发生装置。