[发明专利]半导体存储器及其制造方法

摘要

在DRAM的存储单元等中,形成位线接触点和存储节点接触点,即使照相制版的叠合发生偏移,也不产生不良情况。在DRAM等的存储单元中,关于位线接触点,使用所谓自对准法形成贯通氮化膜的接触点,在存储节点接触点部分中,使用作为位线接触点的刻蚀阻挡层而淀积的氮化膜作为氮化膜的侧壁,以形成接触点。

主权项

1.一种半导体存储器，其特征在于：备有多个在半导体衬底的主表面上形成的、分别具有有源区和用第一绝缘膜覆盖的传输门的MOS晶体管；在相邻的传输门之间形成为了覆盖所述第一绝缘膜和有源区而形成的第二绝缘膜和贯通该第二绝缘膜通到所述有源区的第1接触点，而且在其他的相邻的传输门之间只在所述传输门的侧面形成为了覆盖所述第一绝缘膜而形成的第二绝缘膜和贯通该第二绝缘膜间通到有源区的第2接触点。