[发明专利]氮化物半导体材料的蚀刻方法无效
| 申请号： | 97116600.5 | 申请日： | 1997-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1060541C | 公开（公告）日： | 2001-01-10 |
| 发明（设计）人： | 彭隆瀚;庄志伟;何晋国;陈金源 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12 |
| 代理公司： | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人： | 左明坤 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体材料的蚀刻方法，其包括下列步骤（ｉ）在氮化物半导体材料上镀上金属电极；（ｉｉ）将氮化物半导体材料设置于夹持照明装置上；（ｉｉｉ）将夹持照明装置及氮化物半导体材料均浸泡于电解蚀刻液中；（ｉｖ）利用汞灯发出波长为２５４ｍｍ的深紫外光，照射氮化物半导体材料；（ｖ）利用电流计监控蚀刻电流，借以即时控制蚀刻深度。该方法可有效控制蚀刻速度，并可控制蚀刻平面的不平整度，同时可即时监控蚀刻深度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体材料 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1．一种氮化物半导体材料的蚀刻方法，其包括下列步骤：(Ⅰ)在氮化物半导体材料上镀上金属电极；(Ⅱ)将氮化物半导体材料设置于夹持照明装置上；(Ⅲ)将夹持照明装置、氮化物半导体材料及导电金属电极均浸泡于电解蚀刻液中；(Ⅳ)利用光源发出波长小于254nm的深紫外光，照射氮化物半导体材料；(Ⅴ)以电流计分别连接氮化物半导体材料上的金属电极及另一置于蚀刻中的导电金属电极，借以监控蚀刻电流，并即时控制蚀刻深度。
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