[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 97117718.X | 申请日： | 1997-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1096116C | 公开（公告）日： | 2002-12-11 |
| 发明（设计）人： | Ｍ·Ｂ·亚南度 | 申请（专利权）人： | 东芝株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体器件及其制造方法，包括在焊点(21)上形成格子状，在钝化介质层(22)的下面配置蚀刻阻挡层，在钝化介质层(22)和蚀刻阻挡层中、在焊点(21)上设置开口部(23)，在格子状的焊点(21)之间充满绝缘层(27)，将焊接线与格子状的焊点(21)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，利用在表面平坦的绝缘层的凹槽内充满的导电体、构成焊点，其特征在于，所述半导体器件包括在所述绝缘层上形成的在所述焊点上具有开口部的蚀刻阻挡层、和在所述蚀刻阻挡层上形成的在所述焊点上具有开口部并由与所述绝缘层相同材料构成的钝化介质层。
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