[发明专利]形成凹穴和接触窗的方法有效
| 申请号： | 97117756.2 | 申请日： | 1997-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1090815C | 公开（公告）日： | 2002-09-11 |
| 发明（设计）人： | 简荣吾;颜子师 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体元件中，在非导电层内形成凹穴的方法，包括步骤先提供一半导体基底，其上具有一非导电层及一设定图案的光阻层，在光阻层及非导电层上均匀淀积一聚合物层，再蚀刻聚合物层以在光阻层上形成聚合物侧壁间隙。然后蚀刻非导电层直至半导体基底，形成凹穴。在本发明中，光阻层开口侧壁的聚合物侧壁间隙可以用公知的光刻技术完成，并用以形成凹穴，例如接触窗或线间距。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在相同的反应条件下利用在光阻层侧壁上形成的聚合物间隙壁形成一凹穴的方法，其步骤包括：提供一半导体基底，该半导体基底上覆盖有一非导电层；在该非导电层上，淀积及设定一光阻层的图案，以在该非导电层上露出欲用于形成该凹穴的一预定面积；淀积一聚合物层以覆盖该光阻层及该凹穴的预定面积；各向异性蚀刻该聚合物层以形成该光阻层侧壁上的聚合物间隙壁；以及蚀刻该非导电层直至露出该半导体基底，形成该凹穴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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