[发明专利]卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法无效
申请号: | 97118217.5 | 申请日: | 1997-09-04 |
公开(公告)号: | CN1068710C | 公开(公告)日: | 2001-07-18 |
发明(设计)人: | 蔡维人 | 申请(专利权)人: | 华通电脑股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L21/60;H01L21/50;H05K3/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 章蔚强 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法,其在压合有双面薄铜的聚酰亚胺膜上层形成第一干膜、电镀铜/镍/金/镍(或镍/金、铜/镍)、去除第一干膜、通过第二千膜蚀刻聚酰亚胺膜下层薄铜形成多个缺口、藉下层薄铜作为掩模对聚酰亚胺膜激光钻孔形成孔洞,孔洞电解电镀形成外突接点、蚀刻薄铜及剥镍、激光钻孔形成芯片安装孔及外围贯孔,从而使外接接点更细微,且可以单点焊接方式焊接芯片而得以缩小封装面积。 | ||
搜索关键词: | 自动 焊接 阵式 集成电路 封装 方法 | ||
【主权项】:
1·一种卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法,其特征在于包括下列步骤:取用含有双面薄铜的聚酰亚胺膜作为基材;对基材双面进行第一干膜的压合、曝光和显影,而仅令上表面形成缺口;为在第一干膜未覆盖的上表面处依次进行电镀铜、电镀镍、电镀金以及电镀镍等多层电镀;去除第一干膜;对基材双面进行第二干膜的压合、曝光和显影,而仅令下表面形成缺口;运用第二干膜为掩模,以对下层薄铜进行蚀刻;运用下层薄铜作为掩模,对基材的聚酰亚胺膜部位进行激光蚀刻,藉薄铜的阻挡以及激光能量的控制,形成未贯通的孔洞图形;在基材上表面压合第三干膜,以保护上表面电镀层;在聚酰亚胺膜的各孔洞实施电解电镀而形成填满各孔洞及略外突的电解电镀接点;去除第三干膜;蚀刻介于各个多层电镀层之间呈外露的上层薄铜,而使相邻电镀层相互隔开,以及蚀刻去除位于多层电镀层表面的电镀镍层,而使电镀金层外露;及对基材中央及需形成贯通的部位进行激光钻孔,以分别形成位于基材中央的芯片安装孔及外围的激光贯孔,以使芯片安装孔部位外围形成由多层电镀层所形成的接触悬臂,供焊接结合芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造