[发明专利]刻蚀方法、结晶生长方法和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 97118416.X | 申请日： | 1997-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1190250A | 公开（公告）日： | 1998-08-12 |
| 发明（设计）人： | 和泉茂一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/465;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在所谓的in－situ(就地)工艺中进行半导体材料的刻蚀处理和其后的结晶生长处理。在in－situ工艺的结晶生长工序中,在供给结晶生长用的气体之前供给SiI4气体。通过由SiI4气体产生的碘对半导体层中产生的氧化膜(妨碍结晶生长的膜)进行刻蚀。其后,通过继续供给结晶生长用的气体,可生长所需要的结晶。此时,可将由SiI4气体产生的硅对再结晶生长层进行掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 结晶 生长 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种使用卤素气体刻蚀半导体材料的方法，其特征在于：包括在高温高真空气氛中供给SiI4气体的工序；用SiI4气体的热分解产生的碘气体对配置于上述高温高真空气氛中的半导体材料进行刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97118416.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：速率控制器
- 下一篇：在植株内表现出抗病毒和/或抗真菌活性的PAP突变蛋白
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
