[发明专利]具有槽隔离结构的半导体器件的制造方法

摘要

一种具有槽隔离结构的半导体器件的方法，包括步骤形成包括槽和用于填充该槽以便在衬底上限定有源区的槽塞的隔离区，该槽塞的一部分突出于该衬底表面之上；在衬底表面上的该槽塞的突出部分的侧表面上形成氧化材料的侧壁垫层；以及对衬底有源区和各侧壁垫层的表面上进行氧化，以便形成延伸到衬底有源区的上部和槽塞的侧表面上的栅绝缘层。#!

主权项

1.一种具有槽隔离结构的半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在衬底上形成蚀刻阻挡层；选择地除去一部分蚀刻阻挡层，以便露出该衬底；在该衬底上形成槽；在该槽的内表面上形成绝缘材料的槽垫层；形成覆盖该槽垫层和该蚀刻阻挡层的槽填充材料层；选择地除去一部分槽填充材料层，以便露出该蚀刻阻挡层和形成填充该槽的槽塞；除去蚀刻阻挡层，以便露出衬底和突出在该衬底表面以上的槽塞部分；以及在该衬底和该槽塞突出的突出部分的侧面上形成栅绝缘层。