[发明专利]减少IC制造中硼沾污的方法无效
| 申请号： | 97119898.5 | 申请日： | 1997-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1219755A | 公开（公告）日： | 1999-06-16 |
| 发明（设计）人： | 铃木达也;青山亨 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康,萧掬昌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了减少硅衬底与在CVD(化学汽相淀积)装置中外延生长的Si或Si1－xGex层之间的硼浓度,在装入CVD设备之前,预处理衬底,以防止衬底受净化间内的硼的沾污。而且,根据一个实施例,在衬底装入生长室之前,用F2气体在预定的衬底温度下清洁CVD生长室本身,由此去除残留在生长室中的硼。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 ic 制造 沾污 方法 | ||
【主权项】：
1．一种减少硅衬底与在CVD(化学汽相淀积)装置中外延生长的Si或Si1-xGex层之间的硼浓度的方法，包括下面步骤：(a)用含有多种化学物质的溶液清洗衬底，每种化学物质中硼的浓度小于50ppt，在衬底装入CVD设备之前进行所述清洗；及(b)于衬底装入CVD设备之前，在步骤(a)的无硼隔绝环境中处理衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97119898.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于视窗界面的显示控制系统
- 下一篇：一种能吸发的电推子
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
