[发明专利]在液体表面生长金刚石晶体的方法无效
| 申请号： | 97119937.X | 申请日： | 1997-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1215766A | 公开（公告）日： | 1999-05-05 |
| 发明（设计）人： | 方宝贤 | 申请（专利权）人： | 方宝贤 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/18 |
| 代理公司： | 云南省专利事务所 | 代理人： | 张怡 |
| 地址： | 650091 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及到晶体生长,尤其是金刚石晶体的生长方法。本发明所述方法是用碳源在可防止氧化的气体里,在金属液态衬底表面上生长金刚石晶体。在本申请中,作为衬底的金属是与碳没有反应、不形成合金的,如Ge、Cu、Ga、In、Sn、Al等,也可以是它们的合金。本申请中,形成刚晶的温度范围为400—1500℃。用液态衬底的特点是改善目前生长金刚石晶体的结果而制造大单晶金刚石,特别做电子材料及光学材料。 | ||
| 搜索关键词： | 液体 表面 生长 金刚石 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在液体表面生长金刚石晶体的方法，其特征在于用碳源在可防止氧化的气体里，在金属液态衬底表面上生长金刚石晶体。
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