[发明专利]动态型半导体存储器及其测试方法无效

专利信息
申请号: 97120024.6 申请日: 1997-10-10
公开(公告)号: CN1187677A 公开(公告)日: 1998-07-15
发明(设计)人: 安达幸信;沖本裕美;林越正纪 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯,叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本动态型半导体存储器及其测试方法能缩短测试时间。在通常方式中,将升压电压Vpp供给所选择的字线WL1。在测试方式中,将比Vpp电平低的电源电压Vcc供给所选择的字线WL1。因此,在测试方式中,写入存储单元25的高电平数据比在通常方式中写入存储单元25的高电平数据的电位低。因此,能缩短产生H→L错误的时间,能缩短测试时间。
搜索关键词: 动态 半导体 存储器 及其 测试 方法
【主权项】:
1.一种动态型半导体存储器,其特征在于备有:多个存储单元和写入电压控制装置,上述多个存储单元排列成行及列的矩阵状,各存储单元分别保存高电平数据或低电平数据,上述写入电压控制装置在将上述高电平数据写入上述存储单元时、在通常方式下写入第1电平电压,在测试方式下写入比上述第1电平电压低的第2电平电压。
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