[发明专利]医用植入物的离子束增强沉积羟基磷灰石镀层的制备方法无效
| 申请号： | 97120353.9 | 申请日： | 1997-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1048291C | 公开（公告）日： | 2000-01-12 |
| 发明（设计）人： | 崔福斋;罗忠升;冯庆玲 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06 |
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种医用植入物的离子束增强沉积羟基磷灰石镀层的制备方法，该方法用５０％羟基磷灰石的烧结陶瓷为溅射靶。首先用Ａｒ离子轰击样品进行清洗，然后在保持有水蒸汽分压下以离子束轰击溅射靶，在基底样品表面溅射成膜，同时辅以高能Ａｒ离子束轰击基底样品，将膜样品从真空室中取出，加热至３８０～４２０℃，在潮湿空气中退火。本发明制备的镀层具有膜与基片的结合力强，膜本身致密度高、生物相容性优良等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 医用 植入 离子束 增强 沉积 羟基 磷灰石 镀层 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种医用植入物的离子束增强沉积羟基磷灰石镀层的制备方法，其特征在于该方法包括下列各步骤：(1)清洗：电流为30～60mA，用能量为0.8～1.2KeV的Ar离子束轰击基底样品表面，轰击时间为10～15分钟，本底压强为5×10-6乇，工作过程中，保持水蒸汽分压为0～2×10-4乇，工作压强为0.5～2.5×10-4乇；(2)制作界面：以50％的羟基磷灰石烧结陶瓷靶为溅射，用电流为20～60mA，能量为0.3～3.5KeV的离子束轰击，在基底样品表面溅射成膜，同时以电流为1～3mA，能量为24～30KeV的高能Ar离子束轰击基底样品表面，溅射时间为10～30分钟；(3)沉积生长：上述第二步的溅射过程继续进行，用电流为40～100mA、能量为3～3.5KeV的离子束轰击，继续溅射成膜，同时以电流为5～20mA，能量为0.5～400eV的低能Ar离子轰击，溅射时间为1～5小时；(4)镀膜后1小时，将上述第三步的膜样品从真空中取出，加热至380℃～420℃，在湿度为大于70％的潮湿空气中退火0～4小时，即可得到具备羟基磷灰石镀层的医用植入物。
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