[发明专利]用于硅衍生物或硅的绝缘材料层的化学机械抛光方法和研磨制品有效
| 申请号： | 97121160.4 | 申请日： | 1997-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1083618C | 公开（公告）日： | 2002-04-24 |
| 发明（设计）人： | Ｅ·加魁诺特;Ｍ·里沃利 | 申请（专利权）人： | 科莱恩金融(BVI)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;C09K3/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 英属维尔京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于对基于硅或硅衍生物的绝缘材料层进行化学机械抛光的方法，其中通过采用一种用作磨料的织物磨擦所说的层而使绝缘材料层磨损，其特征在于该磨料含有没有通过硅氧烷键连接的单个胶体氧化硅颗粒和作为悬浮介质的水的胶体氧化硅酸性水基悬浮液，以及基于这种悬浮液的新型磨料。$#! | ||
| 搜索关键词： | 用于 衍生物 绝缘材料 化学 机械抛光 方法 研磨 制品 | ||
【主权项】：
1.一种用于对基于硅或硅衍生物的绝缘材料层进行化学机械抛光的方法，其中通过采用含有一种磨料的织物磨擦所说的层而使绝缘材料层磨损，其特征在于该磨料含有没有通过硅氧烷键连接的单个胶体氧化硅颗粒和作为悬浮介质的水的胶体氧化硅酸性水基悬浮液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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