[发明专利]双流体喷嘴、清洗装置、清洗方法及半导体装置制造方法有效

专利信息
申请号: 97121532.4 申请日: 1997-10-24
公开(公告)号: CN1093781C 公开(公告)日: 2002-11-06
发明(设计)人: 菅野至;多田益太;小川光博 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社;大阳东洋酸素株式会社
主分类号: B05B7/04 分类号: B05B7/04;B08B3/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 郭洪新,杨松龄
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 以强力清除附着在半导体基板等上面的微小异物,并不会损伤基板。在将液滴喷射在气体中而清洗掉附着在半导体基板等的表面上的异物的清洗用双流体喷嘴中,将混合加压气体和液体形成液滴的混合部的气体流路的截面积设置成比随着气体一起使液滴加速并喷射在气体中的加速管的流路的截面积要大的形状。此外,将加速管设计成圆形直管形状或者拉瓦尔喷管形状。
搜索关键词: 双流 喷嘴 清洗 装置 方法 半导体 制造
【主权项】:
1.一种清洗用双流体喷嘴,包括:将加压的气体与液体混合以形成液滴的混合部;连接在所述混合部的一端将所述液滴向气体中喷射的加速管部;所述混合部的所述气体的流通管路的最小部分的截面积设置成比所述加速管部的流通管路的最小部分的载面积大;所述混合部具有圆形直管的形状;其特征在于:所述加速管具有长度为30-200mm、管内截面积为3mm2以上15mm2以下的圆形直管形状;所述混合部具有的长度为3-50mm、混合部内的截面积为7mm2以上100mm2以下。
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