[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 97121538.3 | 申请日： | 1997-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1190783A | 公开（公告）日： | 1998-08-19 |
| 发明（设计）人： | 伊藤孝 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 姜郛厚,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是减小电源接通后的消耗电流。接通电源后在进行空操作周期之前,根据外部控制信号(/RAS)使激活降压电路用的降压激活信号(ACT)的产生停止,并将供给该降压电路(1b)的降压激活信号保持在非激活状态。在从接通电源后到进行空操作周期前的期间里,可将降压电路保持在非激活状态,因而能减小消耗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，它备有：内部降压电路，响应降压激活信号的激活而被激活，用于将来自外部的电源电压降压并生成内部电源电压；电源接通检测电路，用于产生响应上述外部电源电压的接通而变为激活状态的电源接通检测信号；及控制装置，响应上述电源接通检测信号的激活而将上述降压激活信号保持在非激活状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97121538.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
