[发明专利]一种钕钡铜氧超导单晶体的制备方法无效
| 申请号： | 97121888.9 | 申请日： | 1997-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1064723C | 公开（公告）日： | 2001-04-18 |
| 发明（设计）人： | 周廉;杨万民;冯勇;张翠萍;张平祥;吴晓祖 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B1/00 |
| 代理公司： | 中国有色金属工业总公司专利事务所 | 代理人： | 李迎春,王连发 |
| 地址： | 710016*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种钕钡铜氧超导单晶体的制备方法，特别是适用于生长钕钡铜氧单晶体籽晶的制造。其特征在于配料原料中含钕、钡、铜的比例（克原子比）为Ｎｄ∶Ｂａ∶Ｃｕ＝１∶（２＋ｘ）∶３，其中ｘ＝０．２～０．８；晶体生长过程是将压块后的混合料块加热在富钡条件下，进行晶体的熔化生长。本发明采用富钡原料配比，直接钭配制好料块进行熔融生长热处理，不需要坩埚和其它的籽晶及机械系统，在普通的烧结炉中即可完成晶体生长过程，操作简单，经济可靠。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 一种 钕钡铜氧 超导 单晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1．一种钕钡铜氧超导单晶体的制备方法，包括将Nd2O3、BaCO3、CuO原料粉末混合、煅烧、研磨配制粉料，混合粉料压块，晶体生长，晶体分离过程，其特征在于：a．制备混合粉末时配料原料中含钕、钡、铜的比例(克原子比)为Nd∶Ba∶Cu=1∶(2+x)∶3，其中x=0．2～0．8；b．晶体生长过程是将压块后的混合料块加热在富钡条件下，进行晶体的熔融生长，工艺过程及条件为：将混合料块加热至940℃，恒温烧结10～24小时；再升温到1150℃～1200℃，保温0．5～3小时；然后将温度降至1070℃～1090℃，其降温速率为50℃～180℃／小时；再将温度降至980℃～1040℃，其降温速率为0．5℃～3℃／小时；然后将温度降至室温，其降温速率为120℃～300℃／小时降至室温；c．其生长单晶体的分离是在室温下，从反应后的混合料块中，由料块自动破碎而与其分离的。
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