[发明专利]半导体器件及其测试方法无效
| 申请号： | 97121941.9 | 申请日： | 1997-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1183640A | 公开（公告）日： | 1998-06-03 |
| 发明（设计）人： | 山田义明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰,卢纪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在金属膜形成后及在金属膜加工图形前立即测试半导体器件而不损坏基片的方法。它先将基片分为产品区及测试图形区。再在基片上形成绝缘膜。再后,在绝缘膜内及在产品区和测试图形区上形成窗孔。接着,在窗孔内及在绝缘膜上形成金属膜。最后对金属膜进行图形加工形成布线图形。对测试图形区的窗孔中金属膜的形成状态作真实测试。检查是否存在空洞。以此结果,估价产品区内窗孔中金属膜的形成状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 测试 方法 | ||
【主权项】：
1、一种测试有一基片的半导体器件的方法，其特征在于，它包含如下步骤：将所述基片分产品区和测试图形区；在所述基片上形成绝缘膜；在所述绝缘膜内及所述产品区和所述测试图形区上形成窗孔；在所述窗孔内和所述绝缘膜上形成金属膜；对所述金属膜进行图形加工形成布线图形；以及对所述测试图形区上的所述窗孔内的所述金属膜的形成状态进行真实的测试以便估价在所述产品区内所述窗孔中的所述金属膜的形成状态；在所述金属膜形成之后和对所述金属膜进行图形加工前而不损坏所述基片立即进行测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
