[发明专利]制造集成电路的化学机械研磨方法及其装置无效
| 申请号： | 97122161.8 | 申请日： | 1997-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1218280A | 公开（公告）日： | 1999-06-02 |
| 发明（设计）人： | 衣冠君;陈锡杰;杜文正;陈妙玲 | 申请（专利权）人： | 台湾茂矽电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/82;B24B1/00;C09G1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明一种制造集成电路的化学机械研磨方法,其步骤包括a)提供一半导体底材覆设有一含钨材料的薄膜;b)使用研磨垫和研浆研磨该薄膜;c)重复该等提供和研磨步骤,以制作一个以上的半导体底材,而形成含钨氧化物材料的副产物残留于该研磨垫上;d)以含氢氧化铵的溶液调整该研磨垫,将大部分的钨氧化物材料从该研磨垫移除;以及e)回到该重复步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 集成电路 化学 机械 研磨 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1．一种制造集成电路的化学机械研磨方法，其步骤包括：提供一半导体底材覆设有一含钨材料的薄膜；使用研磨垫和研浆研磨该薄膜；重复该等提供的薄膜和研磨步骤，以制作一个以上的半导体底材，而形成含有钨氧化物材料的副产物残留于该研磨垫上；以含氢氧化铵的溶液调整该研磨垫，将大部分的钨氧化物材料从该研磨垫移除；以及回到该重复步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
