[发明专利]半导体晶片的湿法处理方法及湿法处理装置无效

专利信息
申请号: 97125546.6 申请日: 1997-12-12
公开(公告)号: CN1101058C 公开(公告)日: 2003-02-05
发明(设计)人: 中谷典一 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;H01L21/00;B08B3/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯,叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 防止在湿法处理过的半导体晶片上的颗粒。在对半导体晶片进行药液处理、用纯水进行水洗、然后直接移到含有乙醇的蒸汽气氛中进行干燥的半导体晶片的湿法处理方法中,在药液处理和干燥之间用含有半导体颗粒去除剂的溶液处理半导体晶片。作为半导体颗粒去除剂,使用调整颗粒的ζ电位以谋求防止颗粒附着的半导体颗粒附着防止剂。另外,使用谋求半导体胶体的凝集以阻止形成颗粒的半导体胶体凝集剂。
搜索关键词: 半导体 晶片 湿法 处理 方法 装置
【主权项】:
1.一种半导体晶片的湿法处理方法,该方法中在1个处理槽中进行了半导体晶片的药液处理后进行上述半导体晶片的水洗,然后直接把上述半导体晶片移到含有乙醇的蒸汽气氛中进行干燥,其特征在于:在上述药液处理和干燥的工序之间,用含有半导体颗粒去除剂的溶液处理上述半导体晶片;作为上述半导体颗粒去除剂,使用调整颗粒的ζ电位以谋求防止颗粒附着的半导体颗粒附着防止剂,所述ζ电位是液体中的固体表面的电位,该ζ电位以绝对值减少这一点来表示了附着力的减小。
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