[发明专利]半导体晶片的湿法处理方法及湿法处理装置无效
申请号: | 97125546.6 | 申请日: | 1997-12-12 |
公开(公告)号: | CN1101058C | 公开(公告)日: | 2003-02-05 |
发明(设计)人: | 中谷典一 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/00;B08B3/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 防止在湿法处理过的半导体晶片上的颗粒。在对半导体晶片进行药液处理、用纯水进行水洗、然后直接移到含有乙醇的蒸汽气氛中进行干燥的半导体晶片的湿法处理方法中,在药液处理和干燥之间用含有半导体颗粒去除剂的溶液处理半导体晶片。作为半导体颗粒去除剂,使用调整颗粒的ζ电位以谋求防止颗粒附着的半导体颗粒附着防止剂。另外,使用谋求半导体胶体的凝集以阻止形成颗粒的半导体胶体凝集剂。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶片 湿法 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体晶片的湿法处理方法,该方法中在1个处理槽中进行了半导体晶片的药液处理后进行上述半导体晶片的水洗,然后直接把上述半导体晶片移到含有乙醇的蒸汽气氛中进行干燥,其特征在于:在上述药液处理和干燥的工序之间,用含有半导体颗粒去除剂的溶液处理上述半导体晶片;作为上述半导体颗粒去除剂,使用调整颗粒的ζ电位以谋求防止颗粒附着的半导体颗粒附着防止剂,所述ζ电位是液体中的固体表面的电位,该ζ电位以绝对值减少这一点来表示了附着力的减小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造