[发明专利]用于光刻工艺的模拟方法无效
| 申请号： | 97125740.X | 申请日： | 1997-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1087099C | 公开（公告）日： | 2002-07-03 |
| 发明（设计）人： | 安昌男;金熙范 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 袁炳泽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 揭示一种用于模拟光刻工艺的模拟方法，并且该方法能预估抗蚀剂图形的大小，是借助于决定投射影像中的简化模型来代表抗蚀工艺，而不模拟包括抗蚀工艺的完整工艺过程，来获得扩散投射影像模型(DAIM)，然后再把DAIM应用到临界模型。#! | ||
| 搜索关键词： | 用于 光刻 工艺 模拟 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于光刻工艺的模拟方法，包括的步骤有：通过输入在I-线抗蚀工艺中的曝光装置条件与掩模布局，获得一投射影像；将所述投影图像当作在曝光程序中抗蚀层所产生的酸分布，并且考虑在后烘烤程序中所述酸的扩散，获得一扩散投射影像；将所述扩散投射影像应用到一临界模型，从而预测抗蚀层图形的大小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
