[发明专利]生产MOS控制功率半导体组件的方法无效
| 申请号： | 97126272.1 | 申请日： | 1997-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1186331A | 公开（公告）日： | 1998-07-01 |
| 发明（设计）人： | U·泰伊曼 | 申请（专利权）人： | 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,王忠忠 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种生产MOS控制功率半导体组件(30)的方法。控制双极晶体管的MOS沟道结构(39,42,43)处在发射极侧,它包括第二导电类型的处在发射区(37)上面的源区(43)、第一导电类型的处在源区(43)与基区(32)之间的发射区(37)边缘的沟道区(42)和以绝缘方式处在沟道区(42)上面的栅电极(39)。这样来设置短路时的电流密度和空穴旁路电阻构成MOS沟道结构(39,42,43)的沟道宽度,并且该沟道宽度的构成是借助用于组件生产的其它掩蔽步骤中的一个掩蔽步骤非直接地完成的。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 mos 控制 功率 半导体 组件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生产MOS控制功率半导体组件(30，45)的方法，其特征在于：所述功率半导体组件(30，45)在共同的衬底(31，46)上包括多个组件单元(59)，它们布置成一个接一个，并且并联连接，双极晶体管由第一导电类型的集电极区(33，48)、第二导电类型的上部基区(32，47)和第一导电类型的发射区(37，49)组成，此发射区从上面嵌入基区(32，47)，并在每个组件单元(59)都有，控制双极晶体管的MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)处在发射极侧，此MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)包括第二导电类型的处在发射区(37，49)上面的源区(43，57)、第一导电类型的处在源区(43，57)与基区(32，47)之间的发射区(37，49)边缘的沟道区(42，56)和以绝缘方式处在沟道区(42，56)上面的栅电极(39，54)，其中构成了MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)的沟道宽度，而其中MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)的沟道宽度的构成是通过借助用于组件生产过程的其它掩蔽步骤中的一个掩蔽步骤非直接地完成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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