[发明专利]利用复合氧化膜的槽式隔离法有效
| 申请号： | 97126407.4 | 申请日： | 1997-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1206935A | 公开（公告）日： | 1999-02-03 |
| 发明（设计）人： | 朴文汉;洪锡薰;申裕均 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种使用两种类型的氧化膜的槽式隔离法。按照本方法,用两种具有不同的应力特性的相继层叠的氧化膜的复合膜来充填半导体衬底中的槽。对槽充填复合氧化膜进行增密处理。对槽充填复合氧化膜进行平面化处理,直到露出掩模层的上表面为止。这样就在该槽中形成槽充填层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 复合 氧化 隔离法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的槽式隔离法，包括下述步骤：在半导体衬底上形成由复合膜组成的槽充填氧化膜，该复合膜由两个相继层叠的、具有不同的应力特性的层形成，在该半导体衬底上形成用于露出半导体衬底的槽区的掩模层；对该槽充填氧化膜进行增密处理；和对该槽充填氧化膜进行平面化处理，直到露出掩模层的上表面为止，以便在该槽区内形成槽充填层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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