[发明专利]用于制作微力学传感器的方法无效
| 申请号： | 97181538.0 | 申请日： | 1997-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1245559A | 公开（公告）日： | 2000-02-23 |
| 发明（设计）人： | T·沙伊特;U·奈赫尔;C·希罗尔德 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于在硅衬底上制作作为微力学元件的绝对压力传感器的方法,其中,辅助层(3)中的位于薄膜层(5)之下的空腔(4)通过蚀刻开口(6)被蚀刻出。这些蚀刻开口(6)借助钝化层(7)被封装,一个特殊的蚀刻开口(11)在蚀刻接触开口时被重新打开并且该蚀刻开口(11)在下一个在低压下进行的方法步骤中,通过金属化或用电介材料(10、12)被重新封装。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 力学 传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.用于制作微力学传感器的方法，具有如下方法步骤：a)第二层(5)或层序列被敷到为建立空腔(4)而含有的第一层(3)或层序列上，b)借助一个掩膜，具有视以下方法步骤(c)和(d)而定的尺寸的开口(6)在第二层(5)中在待建立的空腔(4)的与层平面垂直投影的范围内被建立，c)在应用这些开口的情况下，空腔(4)在第一层(3)或层序列中被蚀刻出，d)封装层(7)被敷到第二层(5)上，据此，在不对空腔(4)进行充填的情况下使开口得以封装，e)第二层中的开口(11)中的至少一个开口(11)被重新至少开得如此之大，使空腔被敞开，f)该开口(11)借助一种与封装层(7)的材料不同的材料被重新封装，据此，使空腔得以封装。
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