[发明专利]磁阻头用双层磁交换的稳定化无效
| 申请号： | 97182135.6 | 申请日： | 1997-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1254435A | 公开（公告）日： | 2000-05-24 |
| 发明（设计）人： | J·J·弗尔南德斯－德－卡斯特罗 | 申请（专利权）人： | 西加特技术有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 揭示一种用于数据存储系统的磁阻(MR)头(100)。MR头包括MR传感器层(170)和沿MR传感器层长度放置并适应于对MR传感器层进行垂直偏置的软毗邻层(SAL)(120)。在MR头中央区域(200)内的MR传感器层和SAL之间形成间隔层(130)。由第一和第二永磁体(PM)层(160,140)对MR传感器层和SAL进行单独稳定,第一和第二PM层中的每一层与位于MR头的第一和第二两翼区域(210,220)内的SAL和MR传感器层之一形成接触。允许把低电阻率材料层(150)放置在第一和第二两翼区内的第一和第二PM层之间,以降低MR头的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 双层 交换 稳定 | ||
【主权项】：
1.一种用于数据存储系统中的磁阻头，其特征在于所述磁阻头包括：磁阻传感器层；沿磁阻传感器层长度放置并适应于对磁阻传感器层进行垂直偏置的软毗邻层；在位于磁阻头的有源区内的磁阻传感器层和软毗邻层之间形成的间隔层；形成与磁阻头的第一和第二两翼区域内的磁阻传感器层相接触的第一永磁体层，其中磁阻头的第一和第二两翼区域分别邻近磁阻头的有源区，并在该有源区的第一和第二侧上加以配置；以及形成与磁阻头的第一和第二两翼区域中的软毗邻层相接触的第二永磁体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西加特技术有限公司，未经西加特技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97182135.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
