[发明专利]稳定性提高的磁阻传感器无效

专利信息
申请号: 97182159.3 申请日: 1997-09-04
公开(公告)号: CN1254434A 公开(公告)日: 2000-05-24
发明(设计)人: D·麦肯;A·B·约翰斯顿 申请(专利权)人: 西加特技术有限公司
主分类号: G11B5/29 分类号: G11B5/29;G11B5/127;G11B5/147
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 张政权
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 磁性存储装置(10)中的换能器(56)包括具有有效区(65)的细长磁阻元件(64)。第一和第二电触点(66)在有效区(65)的两侧耦合到细长磁阻元件(64)。底部感应写磁极和共享屏蔽(72)靠近于细长磁阻元件(64)且包括主体区(122)和靠近有效区(65)的磁极尖端区(120)。共享屏蔽(72)包括在磁极尖端区(120)和主体区(122)之间限定的凹槽(124),从而提高磁极尖端区(120)中的磁稳定性。顶部感应写磁极(79)与底部感应写磁极和共享屏蔽(72)隔开以形成磁隙缝,磁极尖端区(120)由于感应地写信息。
搜索关键词: 稳定性 提高 磁阻 传感器
【主权项】:
1.一种磁性存储装置中的换能器,其特征在于包括:具有有效区的细长磁阻元件;在有效区的两侧上耦合到细长磁阻元件用以读取信息的第一和第二电触点;靠近于细长磁阻元件的底部感应写磁极和共享屏蔽,所述磁阻元件具有主体区和靠近有效区的磁极尖端区,所述主体区和磁极尖端区由共享屏蔽中细长的凹槽来限定;以及与底部感应写磁极和共享屏蔽隔开的顶部感应写头磁极,所述底部感应写磁极和共享屏蔽与磁极尖端区形成磁隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西加特技术有限公司,未经西加特技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/97182159.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top