[发明专利]溅射靶,用其制成的抗铁磁材料膜和磁阻效应器件

摘要

一种溅射靶,主要由Mn和至少一种选自下列一组元素中的R元素组成Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re。该溅射靶包括选自由R元素和Mn形成的合金相和化合物相同中的一种相作为靶结构的至少一部分。此外,该靶中的氧含量小于等于1wt%(包括0)。用这种溅射靶,可以稳定由抗腐蚀性和耐热性优良的RMn合金组成的抗铁磁材料膜的膜成分和膜质量。通过应用这种抗铁磁材料膜,当堆叠该抗铁磁材料膜和铁磁材料膜形成交互耦合膜时,可以稳定地得到足够高的交互耦合力。这种交互耦合膜可以用于磁阻效应器件等。

主权项

1、一种溅射靶，主要包括Mn和至少一种选自下列一组元素中的R元素：Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re，其中，该溅射靶包括选自由R元素和Mn形成的合金相和化合物相中的至少一种相作为靶结构的至少一部分。