[发明专利]电子部件和半导体装置、其制造方法和装配方法、电路基板与电子设备无效
| 申请号： | 97192032.X | 申请日： | 1997-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1210621A | 公开（公告）日： | 1999-03-10 |
| 发明（设计）人： | 桥元伸晃 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 姜郛厚,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及封装尺寸接近芯片尺寸并具有应力吸收层,可以省去制成图形的挠性基板,而且,能同时制造多个部件的半导体装置。具有在圆片(10)上形成电极(12)的工序、避开电极(12)在圆片(10)上设置作为应力缓冲层的树脂层(14)的工序、从电极(12)直到树脂层(14)的上边形成作为布线的铬层(16)的工序、在树脂层(14)的上方在铬层(16)上形成作为外部电极的焊料球的工序、以及将圆片(10)切断成各个半导体芯片的工序,在铬层(16)和焊料球的形成工序中,应用圆片工艺过程中的金属薄膜形成技术。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 部件 半导体 装置 制造 方法 装配 路基 电子设备 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置的制造方法，具有：准备形成电极的圆片的工序；为成为避开上述电极的至少一部分的状态，在上述圆片上设置应力缓冲层的工序；从上述电极起直到上述应力缓冲层的上边形成布线的工序；在上述应力缓冲层的上方形成与上述布线连接的外部电极的工序；以及将上述圆片切断成各个小片的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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