[发明专利]用于制作集成电路中的二氧化硅和硅玻璃层的方法和装置无效
| 申请号： | 97193062.7 | 申请日： | 1997-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1213457A | 公开（公告）日： | 1999-04-07 |
| 发明（设计）人： | 拉里·D·麦克米伦;迈克尔·C·斯科特;阿劳约·卡洛斯·A·帕兹德;大槻达男;林慎一郎 | 申请（专利权）人： | 塞姆特里克斯公司;松下电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制备一种包括在二甲苯溶剂中的硅的前体液体(64),衬底(5,71)放置到真空沉淀室(2)中,前体液体被雾化,并在将沉淀室维持在室温时将雾气(66)流入沉淀室中,以在衬底上沉淀前体液体层。此液体被干燥、烘干、以及退火,以在衬底上形成二氧化硅或硅玻璃的薄膜(1224,77)。然后,完成集成电路(100),以便至少包括一部分二氧化硅或硅玻璃作为集成电路中电子设备(76)的绝缘体(77)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 集成电路 中的 二氧化硅 玻璃 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种在衬底(5,71)上制造二氧化硅或硅玻璃薄膜的方法，所述方法的特征在于包括下列步骤：(a)提供包括二氧化硅键的液体前体(64)；(b)将所述衬底(5,71)放入封闭沉淀室(2)中；(c)产生所述液体前体的雾气(66)；(d)使所述雾气流过所述沉淀室，以便在所述衬底上形成前体液体层；及(e)处理沉淀在所述衬底上的液体层，以形成硅材料的固体膜(1224,77)，硅材料是从包括二氧化硅和硅玻璃的组中选择出来的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
