[发明专利]半导体激光器无效
| 申请号： | 97193298.0 | 申请日： | 1997-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1095231C | 公开（公告）日： | 2002-11-27 |
| 发明（设计）人： | 足立秀人;木户口勳;熊渕康仁 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器至少包含一个活性层和一个饱和吸收层，并且饱和吸收层中的压缩应变量被设定得比活性层中的压缩应变值大0.3％左右或更多。或者，一种半导体激光器至少包含一个活性层、一个饱和吸收层和一个设置在饱和吸收层邻近的导光层；并且饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3％左右或更多。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光器，它至少包括一个活性和一个杂质浓度至少为1×1018cm-3左右的饱和吸收层，其中饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3％或更多并且压缩应变量设定得使对饱和吸收层的光限制系数为3％左右或更大。
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