[发明专利]半导体器件及其制作方法无效

专利信息
申请号: 97193631.5 申请日: 1997-02-20
公开(公告)号: CN1215501A 公开(公告)日: 1999-04-28
发明(设计)人: 大泉新一;堀田祐治;近藤诚司 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/28;H01L23/50;C09J179/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 钟守期
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的特征在于在具有通过树脂密封的半导体元件的半导体器件中,将一张金属箔通过粘和剂粘附到半导体元件安置于其上的引线框架的底部,而将另一张金属箔固定到半导体元件一侧的密封树脂的外表面上。这种结构使半导体器件不会发生翘曲现象。此外,没有翘曲以及位于半导体器件上下表面上的金属箔的效果提供了一种具有优异的散热性、极少受吸潮性影响以及高的耐热应力的可靠的半导体器件。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制作方法
【主权项】:
1.具有由树脂密封的半导体元件的树脂密封的半导体器件,其中一张金属箔通过粘合剂被粘附到半导体元件安置于其上的引线框架的底部,而另一张金属箔则被固定于半导体元件一侧的密封树脂的外表面上。
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