[发明专利]降低蓝移的InP基激光器无效
| 申请号： | 97195204.3 | 申请日： | 1997-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN1221520A | 公开（公告）日： | 1999-06-30 |
| 发明（设计）人： | R·巴特 | 申请（专利权）人： | 贝尔通讯研究股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/025 | 分类号： | H01S3/025 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种InP基光电子集成电路,包括具有一个或多个量子阱(36、38)的有源层。根据本发明,AlGaInAs势垒层(34)较佳地在量子阱与衬底(30)之间形成,阻止物质从衬底和底部InP层迁移,迁移会使量子阱的发射波长向短波长漂移,即蓝移。能够在势垒层上形成图案,在退火期间使量子阱一部分面积呈现向短波长蓝移而另一部分面积保持其较长的波长。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 inp 激光器 | ||
【主权项】：
1．一种量子阱器件，其特征在于它包括：含有铟和磷的衬底；在所述衬底上外延形成的InP基量子阱结构；以及至少一层与所述量子阱结构一同在所述衬底上外延形成的含有铝、铟和砷的势垒层。
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