[发明专利]快速光寻址基片和具有高诱导双折射的光寻址侧基聚合物无效
| 申请号： | 97196664.8 | 申请日： | 1997-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1226258A | 公开（公告）日： | 1999-08-18 |
| 发明（设计）人： | H·伯内斯;U·克劳森;S·科斯特罗米尼;R·内格尔;H·－J·维德尔 | 申请（专利权）人： | 拜尔公司 |
| 主分类号： | C08F8/00 | 分类号： | C08F8/00;C08F220/34;G11B7/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邰红,钟守期 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 由本来缓慢的光寻址聚合物生产极快速光寻址存储介质是可能的,方法是通过用适于常规刻录的光源大面积照射基片因此发生光学各向异性,即在基片平面内带有优先方向的双折射。如果这样制备的基片经短暂强烈的照射,图案被极快速且永久地刻录。本发明也涉及新的侧链聚合物,在该聚合物中可通过照射产生高度的光学各向异性。此光学各向异性对热是非常稳定的。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 寻址 具有 诱导 双折射 聚合物 | ||
【主权项】：
1．由光寻址聚合物制备的光学各向异性Δn为0.001-0.95的平面材料的应用，通过光学各向异性的部分选择性变化用于存储光有效信息。
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