[发明专利]具有一种贵金属层的半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 97196961.2 | 申请日： | 1997-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1226999A | 公开（公告）日： | 1999-08-25 |
| 发明（设计）人： | F·欣特麦尔;G·欣德勒;W·哈特纳;C·马组雷－埃斯佩乔 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种半导体装置,在这种装置中一个氮化硅层(4)被用作为在一个贵金属层,特别是铂层(6)和一个衬底之间的粘接介质。此时氮化硅层(4)本身可以作为衬底。依照本发明的方法其显著特征在于,为了提高贵金属层(6)在氮化硅层(4)上的粘接能力在氮化硅层(4)与阳极(5)之间被加上一个约为250V的衬底偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 一种 贵金属 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．用于制造一个半导体装置的方法，该装置具有一个衬底(3)和一个由贵金属，特别是铂系金属构成的层(6)，在衬底与贵金属层之间是一个氮化硅层或者衬底本身是由氮化硅层构成的，当层(6)是由贵金属，特别是由铂系金属通过溅射构成时，其特征为，当溅射时在作为阴极(2)的衬底和在一定距离上安置的阳极(5)之间被加上一个由100V至1000V的衬底偏压。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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