[发明专利]分子污染控制系统无效
申请号: | 97197875.1 | 申请日: | 1997-08-26 |
公开(公告)号: | CN1230289A | 公开(公告)日: | 1999-09-29 |
发明(设计)人: | 小格伦·A·罗伯逊;罗伯特·M·根科;罗伯特·B·埃格林顿;韦兰·科默;格历高里·K·蒙特 | 申请(专利权)人: | 塞米法布公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 用于分子污染控制的系统和方法,允许将一SMIF箱清洁到所希望的相对湿度,含氧量,或尘粒水平。所述SMIF箱包括一单向阀和过滤器总成的入口,以供给一清洁,干燥的气态工作流体以使装在SMIF箱内的材料周围维持低水平的湿气,含氧量,和尘粒含量。SMIF箱出口也包括一单向阀和过滤器总成,与抽吸系统相连。清洁气体在SMIF箱内的流动可被引导到一个或多个喷嘴塔,以使在箱内产生层流,以及可设置一个或多个出口塔,具有与进口塔相似的功能。清洁气体可通过暴露到干燥剂而干燥,加热到100℃至120℃之间的温度,并可在引入到下一SMIF箱之前或之后检验以得到基本组成水平,多个SMIF箱也可由一单个的污染控制基础单元清洁。 | ||
搜索关键词: | 分子 污染 控制系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于清洁半导体制造材料环境到所希望的相对湿度,含氧量及尘粒水平的系统,包括:一模块化隔离舱,具有限定一用于半导体制造材料的室的壳体,所述壳体包括一基础;一入口,设置在所述基础上,用于接纳气态工作流体到所述模块化隔离舱,以用所述气态工作流体清洁所述模块化隔离舱,所述入口包括一单向阀和过滤器总成,用以允许所述气态工作流体单向流入所述模块化隔离舱及用以过滤所述流入模块化隔离舱内的气态工作流体;一出口,设置在所述基础上,用于从所述模块化隔离舱内除去所述气态工作流体,所述出口包括一单向阀总成,用以允许从所述模块化隔离舱内除去的气态工作流体单向流动;一气态工作流体源,用于清洁所述模块化隔离舱;以及一分子污染控制基础总成,具有一气态工作流体供给口,与所述气态工作流体源流体连通,所述基础总成气态工作流体供给口,适于与所述模块化隔离舱入口以密封的流体连通状态配合,并且所述分子污染控制基础总成具有一基础总成排放口,适于与所述模块化隔离舱出口以密封的流体连通状态配合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造