[发明专利]用于场效应晶体管放大器的偏压电路无效
| 申请号： | 98100320.6 | 申请日： | 1998-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN1195224A | 公开（公告）日： | 1998-10-07 |
| 发明（设计）人： | 山口裕 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/16 | 分类号： | H03F3/16 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰,张祥龄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在具有源极接地的FETQ的直流偏压电路中,为了不论直流参数作何变化都能维持FET的漏源电压和漏极电流的自动恒定,在FETQ1漏极与栅极之间设置第一PNP晶体管Q2。包括一第二PNP晶体管Q3的偏压电路与第一PNP晶体管Q2的基极相连。晶体管Q2和Q3具有大致一样的特性以致由于晶体管Q2的因温度而引发的发射极—基极电压的变化而造成的漏极电压与漏极电流的变化可以被补偿,从而防止了漏极电流的实质性变化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 场效应 晶体管 放大器 偏压 电路 | ||
【主权项】：
1、一种用于具有一个场效应晶体管的场效应晶体管放大器的偏压电路，其特征在于，具有一个与第一电源相连的漏极端、一与第二电源相连的栅极端和一个接地的源极端，其特征在于其中包括：连接在所述场效应晶体管的所述漏极端与所述栅极端之间的第一晶体管；及连接在所述第一电源与所述第一晶体管的基极端子之间的第二晶体管。
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