[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一空隙聚集区设于砷化镓场效应晶体管芯片上避开芯片生热区的位置上。在相应芯片生热区的基片底表面上施加压力,会除去在生热区之下的空隙,所述空隙聚集区捕获此空隙,因此抑制了由于空隙的存在所致的芯片局部温升。

主权项

1.一种半导体器件，其包含一管壳，在管壳上固定有包括一半导体基片的一半导体芯片，半导体基片设有工作电路，其特征在于所说的半导体芯片是通过粘于所说半导体芯片的底表面上的粘结材料与所说的管壳相连的；其中至少有一个空隙聚集区是设在从与所说管壳相对的所说半导体芯片的一表面、和与所说半导体芯片相对的所说管壳的一表面中选出的至少一个表面上，并且所说的空隙聚集区包含一凹进部分，且是设于避开所说芯片接触表面上的生热区的区域，当所说半导体芯片是与所说管壳以一定压力接触时，所说空隙聚集区捕获从所说管壳和是芯片之间的粘结材料中除去的存在于所说半导体芯片接触表面的所说生热区中的空隙。