[发明专利]能够提高存取速度的静态半导体存储器装置

摘要

在一种包括第一和第二驱动MOS晶体管,第一和第二传送MOS晶体管及第一和第二负载元件的静态存储器单元中,第一驱动MOS晶体管的漏和第一传送MOS晶体管的源由一个半导体衬底中的第一杂质区形成,第二驱动MOS晶体管的漏和第二传送MOS晶体管的源由半导体衬底中的第二杂质区形成。在第一杂质区和第二驱动MOS晶体管的栅上还形成一个第一金属硅化物层,在第二杂质区和第一驱动MOS晶体管的栅上形成一个第二金属硅化物层。

主权项

1.一种形成于一个半导体衬底(201，301)中的静态存储器单元，其特征在于包括：第一和第二节点(N1，N2)；一个第一驱动MOS晶体管(Qd1)，具有一个连到上述第一节点的漏和连到上述第二节点的栅；一个第二驱动MOS晶体管(Qd2)，具有一个连到上述第二节点的漏和连到上述第一节点的栅；一个第一传送MOS晶体管(Qt1)，具有一个连到上述第一节点的源；一个第二传送MOS晶体管(Qt2)，具有一个连到上述第二节点的源；一个连到上述第一节点的第一负载元件(R1，Qp1)；和一个连到上述第二节点的第二负载元件(R2，Qp2)，上述第一驱动MOS晶体管的漏和上述第一传送MOS晶体管的源由上述半导体衬底中的一个第一杂质区(205，206)形成，上述第二驱动MOS晶体管的漏和上述第二传送MOS晶体管的源由上述半导体衬底中的一个第二杂质区(205，206)形成，上述静态存储器单元另外包括：一个形成在上述第一杂质区和上述第二驱动MOS晶体管上的第一金属硅化物层(210，310)；和一个形成在上述第二杂质区和上述第一驱动MOS晶体管上的第二金属硅化物层(210，310)，上述第一和第二负载元件分别被形成在上述第一和第二金属硅化物层上。