[发明专利]透光窗户层发光二极管无效
| 申请号： | 98100911.5 | 申请日： | 1998-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1229281A | 公开（公告）日： | 1999-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈锡铭;欧思村 | 申请（专利权）人： | 台湾光宝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘世长 |
| 地址： | 台湾省台北市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透光窗户层发光二极管,其于P型限制层上成长磷化铝铟镓超晶格作为透光窗户层,以磷化铝铟镓超晶格增加电流分散,增加发光区域。且,透光窗户层大幅度提高发光二极管亮度,免去现有技术繁琐的二次成长等制作过程,降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 透光 窗户 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种透光窗户层发光二极管，其特征在于：所述的透光窗户层发光二极管包括：一导电性半导体基板，该导电性半导体基板背面形成有一第一电极；一第一导电性磷化铝铟镓限制层，该第一导电性磷化铝铟镓限制层形成于该导电性半导体基板上；一导电性磷化铝铟镓活化层，该导电性磷化铝铟镓活化层形成于该第一导电性磷化铝铟镓限制层上；一第二导电性磷化铝铟镓限制层，该第二导电性磷化铝铟镓限制层形成于该导电性磷化铝铟镓活化层上；一导电性磷化铝铟镓超晶格，该导电性磷化铝铟镓超晶格形成在该第二导电性磷化铝铟镓限制层上，该导电性磷化铝铟镓超晶格次导带与次价带上的能量差比该导电性磷化铝铟镓活化层能量大；一导电性欧姆接触层，该导电性欧姆接触层形成于该导电性磷化铝铟镓超晶格上；及一第二电极，该第二电极形成于该导电性欧姆接触层上。
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