[发明专利]缩短沟道长度的半导体器件无效
| 申请号： | 98100990.5 | 申请日： | 1998-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1198018A | 公开（公告）日： | 1998-11-04 |
| 发明（设计）人： | 熊谷浩一 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/768 | 分类号： | H01L29/768;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个包含MOS场效应晶体管的半导体器件中,在一硅衬底上面形成一层第一半导体层并有一个栅区。此外,经一层栅氧化膜在第一半导体层上形成第二半导体层并有一个有源区。在此情况下,第一半导体层由一层硅层形成,而第二半导体层则由一层多晶硅形成。这里的有源区有一个源区、一个漏区和一个沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 缩短 沟道 长度 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种包含有在一硅衬底上面的MOS晶体管的半导体器件，其特征在于，它包括：形成在所述的硅衬底上面并有一栅区的第一半导体层；以及经一层栅氧化膜形成在所述的第一半导体层上面并有一有源区的第二半导体层。
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