[发明专利]具有多层镀层的半导体引线框架及其制造方法有效
| 申请号： | 98101127.6 | 申请日： | 1998-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1194463A | 公开（公告）日： | 1998-09-30 |
| 发明（设计）人： | 金重道;福京纯 | 申请（专利权）人： | 三星航空产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体引线框架及其制造方法,该引线框架包括一个金属衬底、金属衬底上形成的一层铜镍合金层以及形成在铜镍合金层上的一层钯或钯合金层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 镀层 半导体 引线 框架 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体引线框架，其特征在于，它包括：一个金属衬底；形成于金属衬底上的铜镍合金层，所述铜镍合金中含铜占总重量的20～80％；以及形成于铜镍合金层上的钯或钯合金层。
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