[发明专利]具有多层互连结构的半导体器件无效
| 申请号： | 98101343.0 | 申请日： | 1998-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1123930C | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 山田义明 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有多层互连结构的半导体器件，其包括由具有前锥形状的主布线金属组成的布线图形，和在主布线金属的侧表面上所形成的高熔点金属的辅布线金属。布线图形整体具有的宽度基本上等于主布线金属底端的宽度。在淀积硅氧化膜以后，可在硅氧化膜上形成通孔。在其底端上的通孔的宽度分别大于和小于主布线金属的上表面和下表面的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 互连 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有多层互连结构的半导体器件，包括具有前锥形截面的主布线金属的第一布线图形；覆盖所述第一布线图形的层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜中所形成的开口，用以露出至少所述主布线金属的一部分侧壁和所述主布线金属的上表面；在所述开口中所填充的导体层；和在所述层间绝缘膜上所形成的第二布线图形，以连接于所述导体层，所述开口具有的宽度小于所述主布线金属底端的宽度。
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