[发明专利]具有半绝缘多晶硅吸杂位置层的半导体衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 98101933.1 | 申请日： | 1998-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1199923A | 公开（公告）日： | 1998-11-25 |
| 发明（设计）人： | 滨田耕治 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种含有至少10%(原子)的氧的半绝缘多晶硅层(13)可在单晶硅晶片(12)的背表面上生长,并且可以以比通常多晶硅的厚度更小的厚度获得高吸杂效率,使得硅衬底具有较少的挠曲。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘 多晶 硅吸杂 位置 半导体 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的半导体衬底(11；40)，其包括：活性层(12；41)，其由单晶硅半导体材料制成，并且具有用于在其上制造至少一个电气部件的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；和在所述第二表面上生长的吸杂位置层(13；42)，其特征在于，所述吸杂位置层可由含有至少10％(原子)的氧的半绝缘多晶硅制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
