[发明专利]隔离棚场效应晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 98102051.8 | 申请日： | 1998-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN1099706C | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 今井清隆;大西秀明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种隔离栅场效应晶体管的制造方法，包括的步骤有在具有SOI结构的一基片上形成一器件分离区以截断第一和第二器件形成区；在第一和第二器件形成区上形成栅氧化膜；将第一和第二导电型杂质引入第一和第二器件形成区，至少在第一器件区上用第一导电型杂质形成一第一沟道型晶体管和用第二导电型杂质形成第一沟道型晶体管的源-漏区；将第一和第二导电型杂质选择地引入第二器件形成区，在其上形成一第二沟道型晶体管的一沟道区和一源-漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种隔离栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于包括如下步骤：在具有SOI结构的一基片上形成一器件分离区以截断第一器件形成区和第二器件形成区；在第一器件形成区和第二器件形成区上形成栅氧化膜；在所述第一器件形成区和第二器件形成区的所述栅氧化膜上形成栅极；将第一导电型杂质和第二导电型杂质引入所述的第一器件形成区和所述的第二器件形成区，用栅极和栅氧化膜作为掩膜至少在所述的第一器件区上用所述的第一导电型杂质形成一第一沟道型晶体管的沟道区和用所述的第二导电型杂质形成第一沟道型晶体管的源-漏区；将所述的第一导电型杂质和所述的第二导电型杂质选择地引入所述的第二器件形成区，用栅极和栅氧化膜作为掩膜在所述的第二器件区上形成一第二沟道型晶体管的一沟道区和一源-漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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