[发明专利]具光检测电路的光电集成电路及其制造方法无效
申请号: | 98102244.8 | 申请日: | 1998-06-09 |
公开(公告)号: | CN1238565A | 公开(公告)日: | 1999-12-15 |
发明(设计)人: | 蔡文钦 | 申请(专利权)人: | 美禄科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 台湾省新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种结合光检测电路于集成电路的光电集成电路,其特征是提供集成电路可直接将输入的光讯号转换为电子讯号,以便其积体电路执行处理的光电集成电路,其中,该集成电路结合的光检测电路是一种金属一半导体一金属(Metal-Semiconductor-Metal)的光检测器,其受光时会产生电流,使输入的光讯号藉此转换成电子讯号,该电子讯号即可被集成电路接受而处理,实现光、电转换于一体的光电集成电路。 | ||
搜索关键词: | 检测 电路 光电 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具光检测电路和的光电集成电路,其特征在于是结合光检测电路于集成电路的光电集成电路,其光检测电路为半导体元件的光电二极管,其至少包括:第一层金属,用以作为该光检测电路之一电极;检光半导体薄膜,沉积于第一层金属,用以侦测光讯号;第二层金属,用以作为该光检测电路的另一电极,并与第一层金属相对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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