[发明专利]一种半导体器件及制造该半导体器件的方法无效
| 申请号： | 98102508.0 | 申请日： | 1998-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1202728A | 公开（公告）日： | 1998-12-23 |
| 发明（设计）人： | 林喜宏;井上尚也;小林壮太 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/10;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制作半导体器件的方法,能在不损坏电容器的金属氧化物电介质的情况下可靠地连接MOS晶体管。在半导体基片上形成具有源/漏区和栅极的晶体管,在基片上形成一个电容器,该电容器具有电容器上置、下置电极和置于电容器上置与下置电极间的金属氧化物电介质膜。一个绝缘膜形成于电容器上将电容器覆盖,形成一个贯穿该绝缘膜的晶体管接触孔。形成一个电容器接触孔提供与电容器的电连接。本发明还提供了用上述方法制作的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1·一种制作半导体器件的方法，其特征在于，它包含以下步骤：(a)在一个半导体基片上形成具有一个源/漏区和一个栅电极的晶体管；(b)至少是间接地在所述基片上形成一个电容器，其中所述电容器具有一个电容器上置电极、一个电容器下置电极、和置于所述电容器上置电极与所述电容器下置电极之间的一个金属氧化物电介质膜；(c)在所述电容器上形成一个绝缘膜，使所述绝缘膜覆盖所述电容器；(d)形成一个穿过所述绝缘膜通达所述晶体管的第一接触孔；(e)在所述绝缘膜上和所述第一接触孔的内表面上形成含有一层附着金属膜和一层第一阻挡膜的一个复合膜；(f)形成一个穿过所述附着金属膜、所述第一阻挡膜和所述绝缘膜通达所述电容器的第二接触孔；(g)在所述复合膜上和所述第二接触孔的内表面上形成一个第二阻挡膜；及(h)在所述第二阻挡膜上形成一个金属连线膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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