[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 98105433.1 | 申请日： | 1998-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1203427A | 公开（公告）日： | 1998-12-30 |
| 发明（设计）人： | 福田达哉 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 姜郛厚,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在接通电源时,即使电源接通检测信号以不完全的形式产生时,也能防止设定在测试模式状态。模式设定信号发生电路(5a)根据外部信号将模式设定信号激活。测试模式激活信号发生电路(5b)根据该模式设定信号的激活取入地址信号Add,并将测试模式激活信号TME驱动到激活状态。初始化电路(5c),根据该电源接通检测信号ZPOR的不完全激活,将测试模式激活信号TME保持在非激活状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，备有：测试模式激活信号发生装置，根据来自外部的信号，产生指定特定测试动作模式的测试模式激活信号；电源接通检测装置，与电源结点连接，响应电源电压对上述电源结点的接通，输出应变成规定时间激活状态的电源接通检测信号；及初始化装置，与上述测试模式激活信号发生装置和上述电源接通检测装置连接，并响应上述电源接通检测信号的0次激活，将上述测试模式激活信号设定为非激活状态。
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