[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 98105837.X | 申请日： | 1998-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1193192A | 公开（公告）日： | 1998-09-16 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;大谷久 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 傅康,张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括根据电路特性设计的TFT。本发明的第一结构中,TFT利用由独特晶体结构体制成的结晶硅膜形成。该晶体结构体的结构中棒状或扁平棒状晶体彼此平行生长。本发明的第二结构中,横向生长区的生长距离根据各TFT的沟道长度不同而彼此不同。因此,形成于一个横向生长区中的TFT的特性能够尽可能的一致。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括同一基片上的象素矩阵电路、驱动电路和逻辑电路，其中象素矩阵电路、驱动电路和逻辑电路包括多个TFT，每个TFT皆具有结晶硅膜的有源层，和60-100mv/十位的亚阈值系数，及其中根据各电路所需的特性，包括在各电路中的多个TFT的沟道形成区由生长距离彼此不同的各横向生长区制成。
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