[发明专利]微细图形形成材料以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 98105924.4 | 申请日： | 1998-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1199922A | 公开（公告）日： | 1998-11-25 |
| 发明（设计）人： | 石桥健夫;丰岛利之;片山圭一;南出安由美 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H01L21/302;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在用曝光形成抗蚀剂图形时,存在由波长引起的微细化方面的界限,故需要超越其界限。为此,把含有通过曝光产生酸的材料的抗蚀剂图形上表面用含有通过酸的存在而交联的抗蚀剂覆盖。通过加热或曝光使得在抗蚀剂图形中产生酸,作为抗蚀剂图形的被覆层形成生成在表面的交联层,使得抗蚀剂图形变粗。因此,能够缩小抗蚀剂的通孔直径,缩小分离宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 微细 图形 形成 材料 以及 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微细图形形成材料，其特征在于：以一种水溶性树脂或2种以上上述水溶性树脂的混合物或2种以上上述水溶性树脂形成的共聚物作为主要成分，通过酸的存在产生交联反应而形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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